疆电关于石墨烯的很多研究都是他们共同的成果：包括首次发现原子级石墨烯。

材料人组建了一支来自全国知名高校老师及企业工程师的科技顾问团队，外送瓦专注于为大家解决各类计算模拟需求。因此能深入的研究材料中的反应机理，电量结合使用高难度的实验工作并使用原位表征等有力的技术手段来实时监测反应过程，电量同时加大力度做基础研究并全面解释反应机理是发表高水平文章的主要途径。

Figure1.AnalysisofO-vacancydefectsonthereducedCo3O4nanosheets.(a)CoK-edgeXANESspectra,indicatingareducedelectronicstructureofreducedCo3O4.(b)PDFanalysisofpristineandreducedCo3O4nanosheets,suggestingalargevariationofinteratomicdistancesinthereducedCo3O4structure.(c)CoK-edgeEXAFSdataand(d)thecorrespondingk3-weightedFourier-transformeddataofpristineandreducedCo3O4nanosheets,demonstratingthatO-vacancieshaveledtoadefect-richstructureandloweredthelocalcoordinationnumbers.XRDXRD全称是X射线衍射，累计即通过对材料进行X射线衍射来分析其衍射图谱，累计以获得材料的结构和成分，是目前电池材料常用的结构组分表征手段。突破而机理研究则是考验科研工作者们的学术能力基础和科研经费的充裕程度。Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科学的研究领域中，亿千常用的形貌表征主要包括了SEM，亿千TEM，AFM等显微镜成像技术。

小编根据常见的材料表征分析分为四个大类，疆电材料结构组分表征，材料形貌表征，材料物理化学表征和理论计算分析。最近，外送瓦晏成林课题组（NanoLett.,2017,17,538-543）利用原位紫外-可见光光谱的反射模式检测锂硫电池充放电过程中多硫化物的形成，外送瓦根据图谱中不同位置的峰强度实时获得充放电过程中多硫化物种类及含量的变化，如图四所示。

XANES X射线吸收近边结构（XANES）又称近边X射线吸收精细结构（NEXAFS），电量是吸收光谱的一种类型

然后，累计为了定量的分析压电滞回线的凹陷特征，构建图3-8所示的凸结构曲线。图1剥离聚丙烯保护层后干膜的组成示意图及其C1s谱图图2剥离后的聚丙烯层示意图及其C1s谱图纯聚丙烯表面的碳谱有单个不对称峰，突破来源于CH2,CH3的贡献，突破而与干膜接触后又被剥离的的聚丙烯表面的碳谱出现了C-O,C-C,C=O等与干膜的碳峰相似的峰，干膜的XPS分析表明其表面可能是部分酯化化纤维素的混合物和脂肪族碳化物。

图1金的X射线光电子图像图2金含量随位置变化图      2.干膜光刻的XPS分析[6]干膜光致抗蚀剂在光刻技术中的应用越来越广泛，亿千光致抗蚀剂通常具有聚合物基板（例如PET）和保护层（如聚丙烯），亿千保护层在使用过程中被剥离，但该过程的效率取决于干膜保护层的界面性质。该方法极大依赖于光谱仪和光子能量校准的精确度，疆电在K-AlphaXPS中，疆电仪器会自动校准结合能，光子能量可以通过测量X射线诱导的俄歇峰的结合能位置来检查，以上校准过程仪器自动完成，所以XPS是一种研究失效太阳能电池脱出功面分布快捷直观的手段。

外送瓦在清洗物品的过程中接触溶剂也会将手套表面的某些成分转移到这些物品的表面。对比氧化前后硅烯的Si2p峰，电量发现√3×√3硅烯上的Si-Si键强度和位置并无变化，电量而√13×√13/4×4硅烯缓冲层对应的XPS衍射峰强度降低，往高结合能移动，表明√13×√13/4×4缓冲层与Ag（111）表面之间的Si-Ag键部分在氧处理过程中被破坏，而上层√3×√3硅烯层抗氧化。